22nm与3D晶体管 IVB两大核心技术解析_新闻台

　　研发代号为Ivy Bridge的第三代智能英特尔酷睿处理器即将在本月底发布已成定局，作为全新一代的处理器，Ivy Bridge可以说是承载了太多用户的期待。Ivy Bridge不仅仅是一次产品的升级换代，更重要的是，CPU将由此全新开启22nm制程时代的大门。除此之外，全新架构的Ivy Bridge处理器将采用革命性的3D晶体管技术（3-D Tri-Gate），将为用户提供前所未有的高性能。

　　第三代智能英特尔酷睿处理器的出现开创了“两个第一”――它是业界第一个实现了22纳米工艺的量产处理器，也是业界第一次采用创新的3D晶体管技术（3-D Tri-Gate）的处理器。在第三代智能英特尔酷睿处理器发布前夕，我们带着更多的期待来为广大网友解读Ivy Bridge的这两大核心技术。

　　那么，这两项技术究竟能够带来如何的性能提升呢？22nnm与3D晶体管技术可以被视为一个有机的整体。与之前的32nm 2D晶体管相比，22nm 3D极晶体管，可以在大量增加晶体管的同时有效得控制芯片的体积，同时在低电压下可将性能提高37%。传统的2D型晶体管已经严重的制约了摩尔定律的进步与发展，而3D三栅极晶体管的出现无疑又为摩尔定律开启了一个新的时代。

　　根据英特尔产品市场部担任资深架构经理赵军先生的介绍：一个句号上就可以容纳超过600万个22纳米晶体管，是不是很惊人呢！除此之外，第三代智能酷睿处理器不仅仅是制程技术从上一代的32纳米跨越到22纳米，更重要的是采用了革命性的3-D三栅极晶体管技术，从而使得处理器晶体管数量达到十四亿！

　　3D晶体管代表了晶体管技术本质上的转变，晶体管通道增加到第三维度，电流是从通道的三面来控制的，而不像传统平面晶体管，只从顶部控制。就像摩天大楼通过向天空发展而使得最大限度地利用城市空间，3-D三栅极晶体管结构同样提供了一种提高晶体管密度的创新方法。

　　其结果是能更好的控制晶体管的开关、最大程度有效利用晶体管开启状态时的电流（实现最佳性能），并在关闭状态时最大程度减少电流（降低漏电）。与之前的平面晶体管相比，22纳米的3-D三栅极晶体管将提供前所未有的高性能和能效。与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%，并且只需要消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中二维平面晶体管一样的性能。

　　在最终的产品方面，研发代号为Ivy Bridge的第三代智能英特尔酷睿处理器带来了诸多新的特性，如原生支持USB 3.0、支持Configurable TDP技术、同时还具有更强性能的显示单元（HD4000系列，支持DX11）。配套主板方面，Ivy Bridge处理器将搭配新一代Panther Point 7系列主板，但使用6系列主板可以通过更新BIOS的方式提供对Ivy Bridge的支持，为用户升级提供了方便。

　　在22nm制程工艺以及3D晶体管的强力支撑下，我们有理由相信第三代智能英特尔酷睿处理器将会开启一个全新的时代，为用户提供更为强劲的计算能力。在近期我们将针对Ivy Bridge展开深度全面的测试，将在4月24日同步发布，敬请关注。