2012年2月27日，2012年世界移动通信大会（MWC2012）在巴塞罗那隆重举行，世界移动通信大会是全球规模最大的通信年度盛会。

　　国内领先的移动通信终端芯片解决方案提供商创毅联合中国移动在MWC2012上共同演示了TD-LTE系列产品，包括多模、单模数据卡和CPE终端等，其中TD-LTE多模数据卡既支持TDD-LTE/FDD-LTE共模，也向下支持TD-SCDMA、GSM多模制式，TDD/FDD共模为TD-LTE标准真正国际化提供了有力支撑，而支持TD-SCDMA将助力2G，3G市场向TD-LTE的平滑演进。

　　该多模数据卡采用了创毅40nm工艺WarpDrive 5000基带芯片，支持TD-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE多模上网，最高可实现150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率，支持700M~3.5GHz全频段，可实现TD-SCDMA/GSM双模自动切换。WarpDrive5000采用超低功耗设计，支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换，支持CAT4速率等级，下行高达150Mbps，值得一提的是该款产品是全球第一款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的芯片。

　　作为国内主要的TD-LTE芯片供应商，创毅早在2007 年就启动了TD-LTE 终端基带芯片研发项目。2010 年4月创毅成功推出全球首枚TD-LTE 终端芯片与终端数据卡，并服务于2010年上海世博会。2011年5月创毅入选由工信部组织的“6+1”城市TD-LTE规模技术试验网测试及建设，并在广州，杭州，厦门，南京，深圳，与多家系统厂商展开测试。并在2011年底率先成为首批入围第二阶段TD-LTE规模技术试验网测试的芯片厂商。同时，创毅也在加速支持新晋4G标准TD-LTE-Advanced的基带芯片研发进度，预计将在2013年Q1推出支持TD-LTE-A的基带芯片。

　　随着2012年TD-LTE试点城市规模试验第二阶段的开始，TDD/FDD共模，与现有的2G和3G制式兼容，从而为TD-LTE终端产品的预商用奠定基础成为第二阶段试验的主要内容。与此相对应，多模TD-LTE终端芯片将成为市场的主流趋势，在未来较长一段时间，是否支持FDD以及2G和3G制式将成为检验TD-LTE芯片技术成熟与否的一个重要标准。