三星斥资40亿美元在华建闪存厂_新闻台

　　三星电子一项高达40亿美元的投资计划落户北京。

　　今年1月4日，韩国政府宣布，已经批准三星电子在中国投资40亿美元建设闪存芯片工厂。这家工厂将使用20纳米或以下半导体生产工艺，每月芯片产能将达到十万片，三星计划于2013年底开始大规模量产，但暂时还没有对外宣布工厂的选址。

　　昨日，一位知情人士告诉《第一财经日报》记者，此前三星已经在无锡、苏州、北京等众多拥有半导体产业的城市及开发区进行了正面接触和考察，综合考量后目前落地北京的可能性最大。

　　此前，三星计划将苏州原来建设的7.5代线升级成8.5代线的计划，还在等待中国政府相关部门的批准，而这项让三星期待的半导体投资要等到获得审批、真正落地可能并没有预计中那么快。

　　如果该项目最终落地，将成为三星第二座海外芯片工厂。这对于三星来说是一次风险不小的尝试。韩国企业对于尖端技术一向敏感，此前，三星在海外设立的唯一一个芯片生产厂位于美国得克萨斯州奥斯丁市，而迟迟不愿进军美国以外的其他地区，原因就在于，三星认为在海外建设高科技生产线存在技术外泄的风险，因此不轻易在海外建厂。

　　不过眼下，韩国三星改变策略，加快在中国布局半导体制造。

　　iSuppli高级分析师顾文军向记者表示，目前中国半导体行业有良好的人才基础和产业基础，而且更重要的是，现在三星与苹果在闪存、手机、平板电脑等多个领域竞争激烈，中国将是其很大的市场后盾。而且，目前中国的芯片企业竞争力较弱，实际上已经基本放弃了芯片产业，因此三星没必要太过担心技术外泄问题。

　　三星态度的转变也反映了中国市场的重要性。根据市研机构Gartner的数据，中国市场去年所消费的NAND内存芯片，占全球市场一半，规模达290亿美元，是全球最大的芯片消费国。到2015年，中国市场份额将升至55%。如果在中国大规模进行芯片制造，将便利地就地供应产业链下游的手机、面板（LED也需要芯片）、电脑、电视等市场。

　　顾文军透露，除三星外，目前另外一家不能透露姓名的国际厂商也考虑在中国选址，建造类似的闪存工厂。

　　竞争对手海力士在中国的顺利发展，也给了三星不小的压力。2004年，海力士投资20亿美元落户无锡高新技术开发区，几经增资扩产，海力士无锡厂12英寸芯片产能已从初期月产1.8万片提高到目前的18万片。

　　不过，对于中国相关企业而言，三星的大举入华并不是个好消息。

　　顾文军认为，按照三星的计划，2013年就要实现量产，而三星对于技术保密严格，生产线也不会对外代工，意味着落地之后首先将和国内企业在人才资源方面展开越发激烈的争夺。此外，按照目前中国本土芯片厂商的实力，在三星的强势竞争下，未来很可能放弃12英寸以下的闪存制造，到时市场上很可能陷入寡头竞争的局面，后来者的机会变得越来越小。