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中新网1月13日电 综合美国《侨报》报道，美国一年一度的英特尔科学天才发明奖(Intel STS)，本年度入围1/4决赛名单11日揭晓。全美共有300名学生入围，华裔学生超过三成，旧金山湾区共有29位高中生榜上有名，其中华裔学生有14位。他们主要来自硅谷所在的圣塔克拉拉县各所高中。今年华裔学生大放异彩，再度成为各大媒体争相报道的焦点。纽约州超过20名华裔学生进入初赛，约占全州约二成。
从湾区入围1/4决赛的获奖名单上获悉，知名的圣荷西私立学校哈克(Harker School)今年表现尤为突出，共有11名高中生(包括3位华裔)获奖入围，再度创下加州史上获最多这一奖项的新纪录。
华裔学生今年获得如此优异的成绩，全湾区尤其是南湾的华裔社区深感鼓舞和骄傲。获奖的华裔学生均在美出生，他们的父母多数来自中国大陆，主要在硅谷地区从事高科技等行业。
纽约州超过20名华裔学生进入初赛，约占全州约二成。纽约市尖子高中史代文森(Stuyvesant High School)独占鳌头，共有13名学生入围，布朗士科学高中(Bronx High School of Science)有8人得奖。长岛Ward Melville高中也成绩不俗，有5人入围。
今年初赛共有1839人参赛，是过去10年来竞争最激烈的一年。参赛人数比去年增加了5%。参赛者来自美国28个州和哥伦比亚特区的180所高中，以及一所海外美国高中。
初赛得奖者每人获得1000元奖金，其所在学校也获得1000元奖金。主办方将从初赛入围者中选拔出40名决赛者，名单将于25日公布。决赛选手将于3月8日至13日到华盛顿首府参加最后一轮比赛，选出前10名优胜者。
据介绍，全国今年参赛的高中生共1839人，来自44个州497所学校。11日公布的是进入1/4决赛的300名高中生名单，他们选自全国173所高中，每人均获得1000元奖学金，获奖学生所在学校也同时获得上千元的奖金。
1月25日，英特尔公司将从入围1/4决赛的300名高中生中，公布进入半决赛(1/2)的40名高中生的名单。3月8日至13日，这40名入围半决赛的高中生，将赴首都华盛顿参加为期一周的总决赛。
英特尔公司透露，今年总决赛的奖金额再度增加，已从去年的65万提高到125万元，由英特尔基金会资助。决赛获奖名单将于3月13日正式公布。
英特尔科学天才发明奖在美已有70多年历史，迄今共有超过十几万来自全国50个州的高中生参加，其中有不少获奖者先后赢得了诺贝尔等国内外重大科学奖项，有“小诺贝尔”奖的美誉。（林菁 陆杰夫）
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