成本降低20%？20nm闪存SSD性能抢先曝光_新闻台

　　【IT168 资讯】虽说Intel 20nm NAND闪存到Q3才开始量产，但是目前仍有小量的20nm NAND闪存试产出来，像在Intel NAND上极有资源优势的SuperSSpeed，已经拿到了20nm的NAND闪存，并搭配SF2281主控开始生产新一代制程的SSD了。

Intel NAND各制程下的Die比较

　　从目前的资料看，20nm制程的L84颗粒Page会有8KB(TSOP封装)和16KB(BGA封装)两种，由于密度的上升，每个Page的Spare Byte(用来存放ECC签名)也明显增加，比如说25nm时，一个8KB的Page需要有448bytes的Spare Area，当制程进步到20nm后，Spare Area却需要744bytes，每1KB数据需要更多的ECC检验数据。对于SandForce主控来说，RAISE冗余技术显得就更加重要了。

　　还是来看看20nm NAND的性能吧，测试平台采用的是微星Z77主板，Windows 7 SP1系统：

HD Tune Pro下的Info信息(F3表示20nm制程)

　　先关注一下HD Tune Pro中的Info，Serial这一项大多数情况下会显示该SSD所有闪存的型号(一般为编号后几位)，对Intel闪存比较熟悉的同学应该会记得目前主流的编号后几位多是ACME3之类的，其中E表示制程，也就是25nm，而20nm的编号则是F，最后的数字可以理解为步进什么的，这次F3颗粒的具体编号为JS29F64G08ACMF3。