突破! 新技术让24nm闪存寿命延长13倍_新闻台

　　NAND闪存工艺技术不断进步，但是可靠性和使用寿命却在倒退。尽管从理论上说依然足够绝大多数人用上好几年的，但这种趋势终归让人很不爽。固态硬盘厂商STEC近日宣布了一项新技术“CellCare”，能让NAND闪存的寿命一下子延长多达13倍。

　　CellCare是一项硬件和固件综合技术，核心内容包括：每个内核的闪存参数追踪，可带来更少的、受控的磨损；终生闪存管理，可减少磨损、控制性能、改进性能、降低读写延迟；高级错误纠正与数字信号处理，可改进数据可靠性、最大程度减少重新读取。

　　加入这种技术后，24nm MLC NAND闪存的全盘写入擦除次数(program/erase cycles)可以从现有的3000次猛增到40000次，一下子就增加了13倍还多，而且寿命后期的读写重试可以最高接近100%降低到不足0.011%，擦写速度经过控制后可以基本维持原有水平或者略有减慢。

新的CellCare可以大幅提高NAND芯片寿命(图片来自于网络)

　　STEC也正在准备基于CellCare技术的新一代企业级固态硬盘，使用自己的第四代ASIC主控制器、低成本的cMLC NAND闪存，可以连续五年做到每天都进行十次全盘随机写入，40℃高温下可保持数据完整达三个月且不损失任何性能。换言之，这相当于一块400GB的固态硬盘终身写入大约7.3PB的数据。

　　STEC工程师还对其进行了一系列JEDEC标准测试，包括擦写耐久性和数据保持压力测试、基于压力测试的集成电路验证、固态硬盘需求和耐久性测试等等。