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英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术，为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF（散热型塑料小外形扁平引线）。首批推出的采用H-PSOF封装技术的产品是40VOptiMOS?T2功率晶体管，它们的漏极电流高达300A，导通电阻（RDS(on)）低至0.76毫欧。
性能更高的功率电子元器件，可帮助汽车系统设计人员达到更高的强制性的汽车燃油效率标准，同时满足苛刻的总体排放要求。为达到这些标准，需要采用电流承受能力超过200A，导通电阻低于1毫欧的功率MOSFET，以降低传输损耗并提高总体效率。迄今为止，汽车市场尚未推出满足这些需求的MOSFET。
通过推出H-PSOF封装技术，英飞凌设立了一个新的里程碑，可提供漏极电流高达300A，导通电阻低至0.76毫欧的40V功率MOSFET。此外，相比通常用于同类汽车应用的标准D2PAK封装（TO-263）而言，H-PSOF封装的尺寸更小，高度更低。H-PSOF封装的面积比目前的D2PAK小20%左右，高度几乎是D2PAK的一半。
英飞凌科技股份公司汽车电子事业部总裁JochenHanebeck表示：“通过开发创新型H-PSOF封装，加上其深厚的汽车系统专业知识，英飞凌进一步增强了其在汽车和电力电子领域的技术领先优势。这一面向大电流MOSFET的全新封装，能够让我们的汽车系统供应商客户设计出能效和可靠性更高的汽车电子产品，从而达到汽车油耗和排放的需求。
H-PSOF封装可帮助汽车电子制造商更好地服务于大电流应用市场。这些应用包括混合动力电动汽车的电池管理、电动助力转向（EPS）、汽车发电机，以及其它可提高燃油效率和降低排放的大负载应用。美国市场研究公司StrategyAnalytics在最近发布的一份研究报告中指出，一个快速增长的应用领域是汽车EPS和启停系统。预计到2016年，该市场的销量将从2011年的4700万套增至1.1亿套以上，年均复合增长率约为19%。
开发H-PSOF封装的主要目标是降低封装电阻，并在具备较大电流承受能力的D2PAK的基础之上，进一步提高封装的电流承受能力。
H-PSOF封装还具备组装和制造上的优势。其特殊的设计可确保良好的可焊性，从而实现可靠的焊接。此外，组装和制造厂还能利用自动光学检测（AOI）设备控制焊接引线，而AOI是表面贴装工艺（SMT）生产线中常有的一部分。
采用H-PSOF封装的首款产品是IPLU300N04S4-R7，它是英飞凌40VOptiMOST2汽车级功率晶体管产品家族的一员。该家族是节能增效、二氧化碳减排和电力传动应用的全球标杆性产品。IPLU300N04S4-R7的连续漏极电流（ID）为300A，导通电阻（RDS(on)）为0.76mΩ。英飞凌采用H-PSOF封装的器件符合AEC-Q101标准。公司还计划推出更多采用H-PSOF封装的40V和30V汽车级MOSFET。
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