央视网|中国网络电视台|网站地图
客服设为首页
登录

中国网络电视台 > 新闻台 > 新闻中心 >

中环股份发布四类新产品 产业化进程或超市场预期

发布时间:2011年02月23日 08:04 | 进入复兴论坛 | 来源:中国经济网 傲一

评分
意见反馈 意见反馈 顶 踩 收藏 收藏

更多 今日话题

更多 24小时排行榜

  2月21日,中环股份在津举行新产品发布会,发布了IGBT用区熔单晶硅抛光片、IGBT器件、高压大电流MOSFET场效应晶体管、TVS瞬态电压抑制器四类新产品,展示了其在节能型半导体领域强大的研发能力和产业化进程。公开信息显示,在太阳能电池用单晶硅材料大单公告频出之后,市场对中环公司的关注更多集中在硅片销售对公司业绩的影响,各方对硅片未来市场意见并不统一,中环此次发布会无疑希望传递了新的信号:在高毛利率的硅片产业之外,中环股份在半导体器件领域的技术和产业优势,在可预期的未来将会带来更加稳定和广阔的盈利能力。

  IGBT器件的应用领域为高效节能、节材,为新能源、工业自动化提供了广泛的支持。相关数据表明,2010年,全球IGBT市场规模已达22.7亿美元,预计未来十年中平均年增长率为4%左右,至2020年达到70亿美元,而中国目前IGBT年市场规模约为70亿人民币,且增长幅度明显高于全球市场,是名副其实的朝阳产业。

  2000年,中环旗下环欧公司全球首度开发出FZ单晶技术;2002年成功开发出5英寸、6英寸区熔单晶,填补了国内空白;2008-2009年,公司开发出7英寸区熔单晶并开始了8英寸规格的研发;目前环欧在区熔单晶全球市场占有率为12%,国内市场占有率超过70%,排名中国第一,全球第三。笔者从相关渠道获知,中环5-6英寸区熔单晶的生产远远无法满足市场需求,2011年订单已饱和,已经拒绝签订新的订单,扩大生产大势所趋。

  同时,中环股份开发出的1200VTrenchIGBT是国内首类1200V沟槽型非穿通IGBT系列产品,目前月产量已达2000片,预计到11年年底将会突破一万片,面对十几亿的国内市场,该产品单片出芯数比国内同行业提高60%以上,拥有典型的技术支撑的成本垄断优势。作为技术储备,中环同时也研发出了用于电力机车、智能电网等领域的3300V平面型IGBT样品,一旦实现产业化,将会彻底打破相关领域的外企垄断,释放巨额利润。

  在MOSFET领域,中环股份成功自主研发了高压大电流VDMOS,电压达到800V、900V,比常规尺寸缩小20%以上,目前中国没有能够生产同类产品的厂家,而与国外产品相比,中环有明显的价格优势,该产品广泛应用于消费类电子、通讯、计算机汽车等领域,国内市场容量超过十亿。

  新发布的TVS(瞬间电压抑制器)主要应用于消费类电子产品、通讯、汽车保护领域,其2010年全球市场份额高达10亿美元,预计在2015年将达到20亿美元,亚太地区TVS市场增长速度极快,2010年占到了全球份额的75%以上,公司从技术上突破壁垒之后无疑会从高速增长的亚太市场尤其是相对技术领先的国内市场中分得一杯羹。

  中环股份选择在目前的时间点召开新产品发布会,其意无疑在护航增发。然而,与之前直观能够精确计算业绩的太阳能硅片大单不同的是,本次发布会将曾经被认为是长远预期的IGBT概念的一部分直接的摆上了产业化平台,成功的展示了公司概念利润化、盈利渠道多元化的明朗趋势,也展示了一个日渐成熟的行业巨头崛起之路。(傲一)